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IRL3803STRLPBF  与  IPB042N03L G  区别

型号 IRL3803STRLPBF IPB042N03L G
唯样编号 A-IRL3803STRLPBF A-IPB042N03L G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@71A,10V 4.2mΩ
上升时间 - 5.6ns
Qg-栅极电荷 - 18nC
栅极电压Vgs ±16V 20V
正向跨导 - 最小值 - 87S
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 140A 70A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 4.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) 79W
典型关闭延迟时间 - 28ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 7.4ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL3803STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@71A,10V N-Channel 30V 140A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IPB065N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB065N03LGATMA1_±20V 56W(Tc) 6.5mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3 N-Channel 30V 50A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPB055N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB055N03LGATMA1_30V 50A 5.5mΩ 20V 68W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPB042N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N03LGATMA1_30V 70A 4.2mΩ 20V 79W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPB04N03LAT Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRL3803STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 140A(Tc) ±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) 6mΩ@71A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

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